ダイボンド技術
コア技術 | 方式・手段 | 特 徴 | 実 績 |
はんだダイボンド | リボン・ワイヤ | ・主としてシングルチップ、
小面積チップに最適 ・高速ダイボンド |
Sn系、AuSn系 |
ギ酸真空リフロー | ペレット・ペースト | ・真空による低ボイド化が可能 ・フラックスレスにより洗浄工程が不要 |
ボイド率1%以下 |
樹脂ダイボンド | 転写・ディスペンス | ・シリコーン系樹脂による低応力やエポキシ系樹脂による低吸水 ・導電性・非導電性など様々な樹脂に対応 |
導電性,非導電性 |
焼結ダイボンド | ディスペンス | ・高融点鉛はんだやAuSnはんだ代替 ・再溶融しない |
試作レベル |
マルチチップ実装 |
― | ・両面実装、スタックボンドによる高密度実装に対応
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ASIC,MEMSなど |
【ダイボンダ】 ![]() |
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〈低応力樹脂によるセンサチップダイボンド状態〉 |
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〈マルチチップイメージ〉 |
【ギ酸真空リフロー炉】 ![]() |
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〈ギ酸真空リフローによるボイド状態〉 |
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〈ダイレクトリードボンディング〉 |
接合技術
コア技術 | 方式・手段 | 特 徴 | 実 績 |
Auワイヤボンド | ボールボンド | ・配線方向に制約が無い、ボンディングスピード が速い |
線径Φ18~40um |
Alワイヤボンド | ウエッジボンド | ・常温でのボンディングが可能 ・大電流を流すパワーデバイスなどに最適。 |
線径Φ30~500um |
溶接 | 抵抗溶接 | ・母材を直接融解させて接合するため強度が高い | リードフレーム 同士の接合 |
非接触はんだ接合 | レーザ | ・非接触加熱により基板への物理的負荷と不良原因を抑制 | Sn系はんだ (基板+端子) |
【Auワイヤボンド】 ![]() |
![]() 〈ボールボンド〉 |
【Alワイヤボンド】 ![]() |
![]() 〈ウエッジボンド〉 |
表面実装技術
コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
SMD実装 | ・高速かつ高密度部品実装 ・ディスクリートの複合製品に対応するポイントはんだ付け ・用途に応じた基板分割 (ルーター切断、Vカット切断、手割り等) |
部品サイズ:0402~ 狭ピッチ:0.15mm~ |
ベアチップ・ SMD混載 |
・省スペース化によるパッケージの小型化が可能 | 各種モジュール |
【チップマウンタ】 ![]() |
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〈実装例〉 |
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〈ベアチップ・SMD混載イメージ〉 |
成形技術
コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
トランスファモールド | ・低ストレスでの成形 ・寸法精度が良い ・複雑な形状にも対応できる ・薄肉成形にも対応 ・半導体封止に適している |
プリモールド/外装モールド (熱硬化樹脂) |
インジェクションモールド | ・外装モールド(二重モールド)に使用 ・高速成形が可能 |
プリモールド/外装(二重)モールド(熱可塑樹脂) |
【トランスファモールド】 ![]() |
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〈プリモールド〉 |
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〈外装モールド〉 |
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【インジェクションモールド】 ![]() |
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〈外装(二重)モールド〉 |
外観・特性検査技術
コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
外観検査 | ・自動外観検査装置の設計および検査ソフトまで対応 ・必要に応じて目視検査も対応可能 |
現在所内に15台保有 |
DCテスト | ・小信号~高容量デバイスまで対応可能 ・絶縁・耐圧・半導体静特性など |
・高周波半導体 1~100V/max1A ・パワー半導体 1~2000V/max100A |
RFテスト | ・周波数範囲30MHz~1.2GHz、 出力パワー1W~100W程度まで対応可能 ・出力電力・ゲイン・入力リターンロスなど高周波特性の測定が可能 |
・RF電力:40MHz~1.2GHz 1W~100W ・高周波:100MHz~3.6GHz -60dBM~0dBM |
カスタム | お客様の要求(仕様)に基づいて、 テストシステムを構築します。 |
・圧力センサ・Gセンサ・ ・LEDなど |
【自動外観検査機】 ![]() |
【DCテスタ】 ![]() |
〈低応力樹脂によるセンサチップダイボンド状態〉 |
【RFテスタ】 ![]() |