ダイボンド技術
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| コア技術 | 方式・手段 | 特 徴 | 実 績 |
| はんだダイボンド | リボン・ワイヤ | 主としてシングルチップ、 小面積チップに最適 高速ダイボンド | Sn系、AuSn系 |
| ギ酸真空リフロー | ペレット・ペースト | 真空による低ボイド化が可能 フラックスレスにより洗浄工程が不要 熱容量の大きいダイレクトリードボンディングに対応可能 | ボイド率１％以下 |
| 樹脂ダイボンド | 転写・ディスペンス | シリコーン系樹脂による低応力やエポキシ系 樹脂による低吸水 導電性・非導電性など様々な樹脂に対応 | 導電性、非導電性 |
| 焼結ダイボンド | ディスペンス | 高融点鉛はんだやAuSnはんだ代替 再溶融しない | 試作レベル |
| マルチチップ実装 | ― | 両面実装、スタックボンドによる高密度実装に対応 | ASIC、MEMSなど |
【ダイボンダ】
〈マルチチップ実装イメージ〉
【ギ酸真空リフロー炉】
〈ギ酸真空リフローによるボイド状態〉
〈従来方法によるボイド状態〉
〈ダイレクトリードボンディング〉
接合技術
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| コア技術 | 方式・手段 | 特 徴 | 実 績 |
| Auワイヤボンド | ボールボンド | 配線方向に制約が無い、ボンディングスピードが速い | 線径Φ18～40um |
| Alワイヤボンド | ウエッジボンド | 常温でのボンディングが可能 大電流を流すパワーデバイスなどに最適 | 線径Φ30～500um |
| 溶接 | 抵抗溶接 | 母材を直接融解させて接合するため、強度が高い | リードフレーム 同士の接合 |
| 非接触はんだ接合 | レーザ | 非接触加熱により基板への物理的負荷と不良原因を抑制 | Sn系はんだ （基板+端子） |
【Auワイヤボンド】
【Alワイヤボンド】
〈Alウエッジボンド〉
表面実装技術
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| コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
| SMD実装 | 高速かつ高密度部品実装（6ライン保有、内SMT専用4ライン） ディスクリートの複合製品に対応するポイントはんだ付け 用途に応じた基板分割（ルーター切断、Vカット切断、手割り等） | 部品サイズ：0402～ 狭ピッチ：0.15mm～ |
| ベアチップ・SMD混載 | 省スペース化によるパッケージの小型化が可能 | 各種モジュール |
【チップマウンタ】
〈各種実装部品サイズ〉
成形技術
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| コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
| トランスファモールド | 低ストレスでの成形、寸法精度が良い 複雑な形状にも対応可、薄肉成形にも対応 半導体封止に適している | プリモールド／外装モールド （熱硬化樹脂） |
| インジェクションモールド | 外装モールド（二重モールド）に使用 高速成型が可能 | プリモールド／外装（二重）モールド （熱可塑樹脂） |
【トランスファモールド】
〈プリモールド〉
〈外装モールド〉
【インジェクションモールド】
〈外装（二重）モールド〉
外観・特性検査技術
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| コア技術 | 特 徴 | 実 績 |
| 外観検査 | 自動外観検査装置の設計および検査ソフトまで対応 必要に応じて目視検査も対応可能 | 現在所内に12台保有 |
| DCテスト | 小信号～高容量デバイスまで対応可能 絶縁・耐圧・半導体静特性など | 高周波半導体 1～100V/max1A パワー半導体 1～2000V/max100A |
| RFテスト | 周波数範囲30MHz～1.2GHz、出力パワー1W～100W程度まで対応可能 出力電力・ゲイン・入力リターンロスなど高周波特性の測定が可能 | RF電力：40MHz～1.2GHz 1W～100W 高周波：100MHz～3.6GHz -60dBm～0dBm |
| カスタム | お客様の要求（仕様）に基づいて、テストシステムを構築します | 圧力センサ・Gセンサ・LED等 |
【外観検査機】
【DCテスタ】
【RFテスタ】
